美光公布下一代 G11 存储芯片，计划 2027 年下半年量产
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美光公布下一代 G11 存储芯片，计划 2027 年下半年量产
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AI 综述
美光（Micron）公布了下一代 G11 存储芯片，采用超过 400 层堆叠，数据容量较 G9 翻倍，传输速度提升达 1.5 倍，每个比特能耗降低超 25%。该芯片预计于 2027 年下半年开始量产。 美光尚未公布该芯片每吉字节的具体降本幅度，原因在于更高的堆叠层数和第二层键合晶圆也会增加成本。
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最新进展10月24日 16:19
Micron 宣布下一代 G11 内存芯片报道时间线
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10月24日
- Rohan PaulMicron 宣布下一代 G11 内存芯片
Micron 宣布下一代 G11 内存芯片采用超过 400 层堆叠，数据容量较 G9 翻倍。该芯片传输速度提升达 1.5 倍，每个比特能耗降低超 25%。G11 预计于 2027 年下半年开始量产。
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