美光科技发布2030年前内存与存储芯片规划
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美光科技发布2030年前内存与存储芯片规划
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AI 综述
美光科技在最新报告中公布了其2030年前的内存与存储芯片规划,指出单堆栈HBM4可实现2.8 TB/s的传输速率。同时,英伟达GPU的单卡内存从H100的80GB增长3.6倍至B300的288GB,AI上下文长度正以每年30倍的速度增长。此外,美光计划在2028年前推出垂直HBM,并通过AI工具将SSD控制器设计周期缩短50%。
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最新进展10月24日 18:14
Micron 公布 2030 年前 AI 内存与存储芯片规划报道时间线
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10月24日
- Rohan PaulMicron 公布 2030 年前 AI 内存与存储芯片规划
Micron 在最新报告中公布了其 2030 年前的内存与存储芯片规划,指出单堆栈 HBM4 可实现 2.8 TB/s 的传输速率。英伟达 GPU 的单卡内存从 H100 的 80GB 增长 3.6 倍至 B300 的 288GB,且 AI 上下文长度正以每年 30 倍的速度增长。此外,该公司计划在 2028 年前推出垂直 HBM,并通过 AI 工具将 SSD 控制器设计周期缩短 50%。
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