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MemSilicon完成国际首款高密度、大容量1T4R 1Gb RRAM芯片“泰山一号”流片
MemSilicon完成国际首款高密度、大容量1T4R 1Gb RRAM芯片流片
AI 导读
铭芯启睿(MemSilicon)宣布完成基于1TnR技术路线的首代高密度、大容量RRAM芯片“泰山一号(MountTai 2026)”流片。该芯片采用28nm CMOS工艺平台和1T4R单元结构,单芯片容量1Gb,密度达到30Mb/mm²,访问延时小于20ns。目前,“泰山一号”已完成流片,正在推进验证。
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